用于沟槽栅极半导体器件的基本单元、沟槽栅极半导体器件和制造这种基本单元的方法.pdfVIP

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2024-02-14 发布于四川
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用于沟槽栅极半导体器件的基本单元、沟槽栅极半导体器件和制造这种基本单元的方法.pdf

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本发明涉及一种用于沟槽栅极半导体器件的基本单元及其相应的制造方法。所述基本单元包括：第一有源区；第二有源区；将第一有源区与第二有源区隔开的无源区。所述基本单元包括基板；漂移区；设置在基本单元顶表面的沟槽中的控制区，所述沟槽包括沟槽栅极底部和沟槽栅极侧壁；设置在漂移区中的屏蔽区。所述屏蔽区包括放置在沟槽栅极底部下方的第一有源区和第二有源区中的第一部分，以及放置在无源区中的第二部分。所述第二部分用于经由无源区与电流输入区形成电连接。所述屏蔽区形成屏蔽结构。这种结构屏蔽了基本单元的控制区，使其免受电场

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117561609A

(43)申请公布日2024.02.13

(21)申请号202280045325.4(51)Int.Cl.

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