1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

非易失铁电半导体存储器及制备方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约1.67万字
  • 约 15页
  • 2024-02-14 发布于四川
  • 举报

非易失铁电半导体存储器及制备方法.pdf

    本发明提供一种非易失铁电半导体存储器非易失铁电半导体存储器及制备方法，其中的存储器包括衬底、依次设置在衬底上方的控制栅和存储栅；其中，在衬底上设置有源极和漏极，位于源极和漏极之间的衬底区域形成隔离源极和漏极的沟道；在沟道和存储栅之间设置有铁电层，存储栅用于向铁电层的上表面施加电压，以改变铁电层的极化状态；控制栅用于控制沟道导通或关闭；通过控制存储栅、源极、控制栅以及漏极的电压，实现数据的写入、读取以及擦除。利用上述发明能够提高存储密度，降低功耗，增强可靠性。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117560929A

    (43)申请公布日2024.02.13

    (21)申请号202311274433.1

    (22)申请日2023.09.28

    (71)申请人北京大学

    地址100871

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >