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一种利于导模法3‑4英寸β相氧化镓单晶生长等径方法，坩埚和模具清洗晾干；放进处理炉抽真空、加热、保温后取出；将模具固定在坩埚中，放入Ga2O3原料后放入单晶生长炉，抽真空、充CO2、加热原料融化、降温，将坩埚和模具取出；坩埚中放入Ga2O3原料，抽真空、充CO2；加热、保温，坩埚两个矩形开口加大模具边缘处Ga2O3原料的挥发量；将籽晶放入模具中心，待籽晶底部融化，提拉籽晶，使晶体进入放肩生长过程；放肩结束后，晶体生长进入等径过程，坩埚上部矩形开口使模具顶部V形口长度方向上的温度梯度降低；待晶体等
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117552088A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311314610.4C30B15/14(2006.01)
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