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- 2024-02-14 发布于四川
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一种晶圆混合键合方法及磨削装置,其中方法包括:自第一面朝第二面方向对初始边缘区进行第一磨削处理以形成第一晶圆结构,第一晶圆结构包括功能区和环绕功能区的边缘区,边缘区上具有第一磨削口,第一磨削口的侧壁与第一面的夹角呈钝角;在第一介质层内形成第一导电结构,第一介质层表面暴露出第一导电结构表面;提供第二晶圆结构,第二晶圆结构包括第二介质层和位于第二介质层内的第二导电结构,第二介质层表面暴露出第二导电结构表面;对第一晶圆结构和第二晶圆结构进行键合处理,使第二介质层与第一介质层相键合,且第一导电结构与第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558623A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202210929359.1H01L21/67(2006.01)
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