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本发明提供一种PERC电池前氧增加吸杂效果的制备方法，通过在P型硅片前氧工艺过程中调整氧化过程中的温度，先升温再恒温再降温；升温有利于硅片中的金属杂质释放，恒温有利于硅片中的金属杂质扩散，最后降温有利于将金属杂质捕获至硅片的PSG层中，后续清洗PSG层时，金属杂质会跟随PSG层一起被洗掉。本发明通过调整氧化过程中温度在完成前氧工艺的同时增加对硅片的吸杂效果，减少硅片中金属杂质含量，降低载流子复合，提升少子寿命，从而提升开路电压短路电流及填充因子。再者本发明省去了额外的清除金属杂质的工序，在硅片前
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558827A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311528330.3
(22)申请日2023.11.16
(71)申请人常州亿晶光电科技有限公司
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