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制造具有含有多个沟槽的结构图案的半导体器件的方法.pdfVIP

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  • 2024-02-14 发布于四川
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制造具有含有多个沟槽的结构图案的半导体器件的方法.pdf

    一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成基底层。在基底层上形成结构层。该结构层包括至少一个材料层。在基底层上形成结构图案。结构图案包括在第一方向上延伸的第一沟槽和在垂直于第一方向的第二方向上延伸并具有交叉部分的第二沟槽。第二沟槽连接到第一沟槽。该结构图案还包括基底图案，该基底图案具有在第二沟槽的交叉部分处从基底层的表面向下凹陷的凹陷部分。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110391174A

    (43)申请公布日

    2019.10.29

    (21)申请号20191

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