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本实用新型公开了一种TOPCon电池结构，包括硅基底，在硅基底的背面设有磷扩散掺杂层，磷扩散掺杂层上布有由内向外依次包括隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层的网格状图形，磷扩散掺杂层和磷掺杂多晶硅层的表面覆盖有背面钝化层，在硅基底的背面还设有背面栅线，背面栅线贯穿背面钝化层与磷掺杂多晶硅层形成欧姆接触，背面栅线在硅基底背面上的图形形状与网格状图形相同。本实用新型TOPCon电池结构，能在有效减少Poly层寄生吸收的同时也能保障背面载流子的横向传输，以及能够提高载流子的迁移速率，进而能够显著提升TOPCon
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220491896U
(45)授权公告日2024.02.13
(21)申请号202321956691.3
(22)申请日2023.07.24
(73)专利权人湖南红太阳新能
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