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本申请实施例提供一种可电擦写的非易失性半导体存储装置，应用于外部接口电路和逻辑电路，具有至少一个具有单层栅极结构的MIS晶体管，包括：选择晶体管，选择晶体管包括在第一导电类型阱中具有第二导电类型的源极和第二导电类型的漏极的MIS晶体管；存储晶体管，存储晶体管包括在第二导电类型阱中具有第一导电类型的源极和第一导电类型的漏极的MIS晶体管；选择晶体管的源极与存储晶体管的漏极相连，选择晶体管的漏极与位线相连，选择晶体管的栅极与字线相连；存储晶体管的源极与源极线相连，存储晶体管的栅极电气浮置；存储晶体管
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558321A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202410042008.8
(22)申请日2024.01.11
(71)申请人威顿智存科技（上海）有限公司
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