一种硅基光子集成TE-TM模式偏振旋转器及其制备方法.pdfVIP

一种硅基光子集成TE-TM模式偏振旋转器及其制备方法.pdf

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本发明公开一种硅基光子集成TE‑TM模式偏振旋转器及其制备方法,属于集成光子学领域。该偏振旋转器包括输入波导区、偏振旋转区、输出波导区;其中,偏振旋转区为条形波导顶部周期性排布的倾斜亚波长金属条带光栅结构。TE模式的光通过输入波导进入偏振旋转区,经过一段长度的偏振旋转区传输后,由于表面等离基元效应,TE模式的光强逐渐减弱,TM模式的光强逐渐增强,实现了TE模式到TM模式的有效转换,并且具有结构紧凑、工艺简单、易于加工实现的优点,对硅基光电子学的发展具有重要意义。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117555080A

(43)申请公布日2024.02.13

(21)申请号202311529082.4G02B6/34(2006.01)

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