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半導體器件1.1.1本征半導體半導體—導電能力介於導體和絕緣體之間的物質。本征半導體—純淨的半導體。如矽、鍺單晶體。載流子—自由運動的帶電粒子。共價鍵—相鄰原子共有價電子所形成的束縛。空穴空穴價電子慣性核矽(鍺)的原子結構矽(鍺)的共價鍵結構自由電子簡化模型(束縛電子)空穴可在共價鍵內移動本征激發：在室溫或光照下價電子獲得足夠能量擺脫共價鍵的束縛成為自由電子，並在共價鍵中留下一個空位(空穴)的過程。複合：自由電子和空穴在運動中相遇重新結合成對消失的過程。漂移：自由電子和空穴在電場作用下的定向運動。兩種載流子兩種載流子的運動電子(自由電子)自由電子(在共價鍵以外)的運動空穴(在共價鍵以內)的運動空穴結論：1.本征半導體中電子空穴成對出現，且數量少；2.半導體中有電子和空穴兩種載流子參與導電；3.本征半導體導電能力弱，並與溫度有關。+4+4+5+4+4+41.1.2雜質半導體一、N型半導體和P型半導體N型電子為多數載流子空穴為少數載流子自由電子磷原子載流子數?電子數+4+4+3+4+4+41.1.2雜質半導體一、N型半導體和P型半導體P型空穴—多子電子—少子硼原子空穴載流子數?空穴數二、雜質半導體的導電作用IIPINI=IP+INN型半導體I?INP型半導體