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基于射频等离子辅助的碳化硅栅氧的制备方法及装置.pdfVIP

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  • 2024-02-14 发布于四川
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基于射频等离子辅助的碳化硅栅氧的制备方法及装置.pdf

    本发明公开了一种基于射频等离子辅助的碳化硅栅氧的制备方法及装置，该制备方法包括以下步骤：将氧气与惰性气体的混合气体进行离化形成等离子体气体并吸附到碳化硅晶片表面，发生氧化反应，形成氧化层，惰性气体的相对原子质量大于硅；将含氮气体进行离化形成氮气等离子体，对氧化层进行氮化退火处理，完成对碳化硅栅氧层的制备。该装置包括在反应腔室的外部设置射频等离子体激发器。本发明制备方法，通过离化同时提高氧和SiC的反应活性，即可快速制备高质量的碳化硅栅氧层，而且具有工艺简单、操作方便、制备效率高、制备成本低等优点

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117558621A

    (43)申请公布日2024.02.13

    (21)申请号202311288493.9

    (22)申请日2023.10.07

    (71)申请人中国电子科技集团公司第四十八研

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