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一种带ESD保护的中压NMOS功率器件和制造方法.pdfVIP

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  • 2024-02-14 发布于四川
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一种带ESD保护的中压NMOS功率器件和制造方法.pdf

    本发明公开了一种带ESD保护的中压NMOS功率器件和制造方法，属于电子器件技术领域，中压NMOS功率器件包括：P型衬底、P型外延层、边缘寄生单元、第一电阻、基极、源极、栅极、漏极和ESD保护单元；P型衬底上设置有P型外延层；P型外延层中设置有边缘寄生单元、第一电阻和基极；P型外延层上设置有源极、栅极和漏极；源极、栅极和漏极与ESD保护单元电性连接；边缘寄生单元的第一极与源极电性连接，第二极与漏极电性连接，第三极通过第一电阻与基极电性连接；栅极上开设有注入窗口，P型外延层设置有注入腔，注入腔与注入

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117558727A

    (43)申请公布日2024.02.13

    (21)申请号202311500833.X

    (22)申请日2023.11.13

    (71)申请人深圳市创飞芯源半导体有限公司

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