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第4章MOS场效应晶体管
第4章MOS场效应晶体管
4.1MOS结构与基本性质
4.1.1理想MOS结构与基本性质
MOS结构指金属-氧化物-半导体结构。
为便于讨论，规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬
底为正，称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。
MOS二极管结构a)透视图b)剖面图
第4章MOS场效应晶体管
1.理想MOS二极管的定义与能带
1）在外加零偏压时，金属功函数与半导体函数之间没
有能量差，或两者的功函数差qφms为零
UG=0时理想MOS二极管的能带图
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2）在任何偏置条件下，MOS结构中的电荷仅位于半导体
之中，而且与邻近氧化层的金属表面电荷数量大小相
等，但符号相反。
3）氧化膜是一个理想的绝缘体，电阻率为无穷大，在直
流偏置条件下，氧化膜中没有电流通过。
理想MOS二极管不同
偏压下的能带图及
电荷分布
a)积累现象
b)耗尽现象
c)反型现象
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2.表面势与表面耗尽区
下图给出了P型半导体MOS结构在栅极电压UG0情况
下更为详细的能带图。
第4章MOS场效应晶体管
在下面的讨论中，定义与费米能级相对应的费米势为
因此，对于P型半导体，
对于N型半导体，
静电势ψ的定
义如图所示
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而空穴和电子的浓度也可表示为ψ的函数
当能带如上图所示向下弯曲时，ψ为正,表面载流子的浓度
分别为
第4章MOS场效应晶体管
通过以上讨论，以下各区间的表面电势可以区分为：
Ψs0空穴积累（能带向上弯曲）；
Ψs=0平带情况；
ΨFΨs0空穴耗尽（能带向下弯曲）；
ΨF=Ψs表面上正好是本征的ns=ps=ni
ΨFΨs反型情况（反型层中电子积累，能带向下弯曲）。
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电势与距离的关系，可由
一维泊松方程求得
对泊松方程积分，可得表面耗尽区的静电势分布为
表面势ψs为
+
此电势分布与单边PN结相同。
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3.理想MOS结构的电容-电压特性
MOS结构的总电容C是由氧化膜电容COX与半导体表面
空间电荷区的微分电容C串联组成，如下图所示
d
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MOS电容等效示意图
在平带条件下对应的总电容称为MOS结构的平带电容CFB
右图表示了P型半
导体MOS结构的理
想C-U曲线
MOS电容-电压曲线
第
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