(11)--M1-4_1.1.3 PN结(4)--PN结的电容特性.pdfVIP

第1章常用半导体器件1.1半导体基础知识

1.1.3PN结（4）

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

【新问题】

【回顾】交流信号作用下，PN

结导电有什么不一样

PN结的伏安特性吗？

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和

释放的过程，与电容的充放电相同。

等效电容称为势垒电容C。

b

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

l当PN结正向偏置时，从N区跨过耗尽层、扩散到P区

的自由电子，在进入P区时，并不马上被空穴复合掉，

而是在向P区扩散的路径上逐渐被复合。

l在P区，由N区扩散过来的自由电子（称为非平衡少子，

P区原有的自由电子称为平衡少子）的浓度逐渐降低、

直到降至P区自由电子（平衡少子）浓度。

l同理，从P区跨过耗尽层、扩散到N区的空穴，在进入N区后，浓度逐渐降低、直

到降至N区空穴（平衡少子）浓度。

l因此，在PN结两侧，非平衡少子形成了电荷积累，其等效电容称为扩散电容C。

d

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（3）PN结的总结电容

CCC

jbd

C和C与结面积、外加电压有关。

bd

（4）讨论

l结电容的利用。比如：变容二极管，压控振荡器。

l结电容的不利影响。三极管、场效应管中结电容的存在降低了放大

电路的频带宽度。

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

本讲小结