(9)--1.3-结型场效应管的工作原理.pptVIP

模拟电子技术基础

1常用半导体器件结型场效应管的结构和工作原理

源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示结型场效应管1.结构(JunctiontypeFieldEffectTransisstor-JFET)

2.工作原理vDS=0V时NGvDSVGSSDPPiDPN结反偏，VGS越负,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。①VGS对沟道的控制作用（以N沟道为例）

当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。VGS继续减小对于N沟道的JFET，VP0。VDSNGSDVGSPPiDVGS达到一定值时耗尽区碰到一起，DS间的导电沟道被夹断。

NGSDVDSVGSNNVDS=0V时iDPP②VDS对沟道的控制作用当VGS=0时，VDS??iD?G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。

NGSDVDSVGSPPiD当VDS增加到使VGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS??夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变

GSDVDSVGSPPiDNVGS越小耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。iD减小。③VGS和VDS同时作用时当VPVGS0时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS，iD的值比VGS=0时的值要小。在预夹断处VGD=VGS-VDS=VP

小结沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，

所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。结型场效应管JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因

此iG?0，输入电阻很高。