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第1章

半导体器件

第一章半导体器件剖析

本章主要内容

(1)半导体基础知识

(2)半导体二极管

(3)双极型晶体管

(4)场效应晶体管

第一章半导体器件剖析

1.1半导体基础知识

1.1.1半导体的导电特性

n自然界中的物质,按其导电能力的强弱可分为导体、半导

体和绝缘体三种类型。半导体的导电能力介于导体和绝缘

体之间。

n导体一般为低价元素,例如银、铜等金属材料都是良好的

导体,它们的原子结构中的最外层电子极易挣脱原子核的

束缚而成为自由电子,在外电场的作用下产生定向移动,

形成电流。

n高价元素(如隋性气体)或高分子物质(如橡胶),它们

的原子结构中的最外层电子极难挣脱原子核的束缚成为自

由电子,其导电性极差,称为绝缘体。

第一章半导体器件剖析

n常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)等,硅原子

中共有14个电子围绕原子核旋转,最外层轨道上有4个

电子,如图1.1(a)所示。

n原子最外层轨道上的电子通常称为价电子,因此硅为4

价元素。锗原子中共有32个电子围绕原子核旋转,最

外层轨道上的电子数也为4个,如图1.1(b)所示,所

以锗也为4价元素。

n为了简便起见,常用带+4电荷的正离子和周围的4个价

电子来表示一个4价元素的原子,如图1.1(c)所示。

第一章半导体器件剖析

图1.1硅和锗的原子结构示意图

第一章半导体器件剖析

n硅和锗的最外层电子既不像导体那样容易挣脱原子核

的束缚,也不像绝缘体那样被原子核所紧紧束缚,所

以其导电性介于导体和绝缘体之间,呈现出典型的半

导体导电特性。

1.本征半导体

§将硅和锗这样的半导体材料经一定的工艺高纯度提炼

后,其原子排列将变成非常整齐的状态,称为单晶体,

也称本征半导体。

§在本征半导体中,每个原子与相邻的4个原子结合,每

一原子的4个价电子分别为相邻的4个原子所共有,组

成所谓共价键结构,如图1.2所示。

第一章半导体器件剖析

图1.2共价键结构示意图

第一章半导体器件剖析

n共价键中的电子不像绝缘体中的价电子被束缚得那样

紧。一些价电子获得一定能量(如温度升高或被光照)

后,可以克服共价键的束缚而成为自由电子,这种现

象称为电子“激发”。

n此时,本征半导体具有了一定的导电能力,但由于自

由电子的数量很少,所以它的导电能力比较微弱。同

时,在原来的共价键中留下一个空位,这种空位称为

空穴。

第一章半导体器件剖析

§空穴因失掉一个电子而带正电。由于正负电的相互吸

引作用,空穴附近共价键中的价电子会来填补这个空位,

于是又会产生新的空穴,又会有相邻的价电子来填补,

如此进行下去就形成了空穴移动,如图1.3所示

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