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  • 2024-02-27 发布于广东
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MOS管的高频小信号模型

信号频率处于高频区时,FET极间电容的阻抗将减

小,不能再视为开路,需考虑它们带来的影响

V

DD

C——栅-源电容V

GG

gssgd

C——栅-漏电容

gd

++

C——源-衬底电容NN

sb

耗尽

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