电子教材 6.2-3 磁敏晶体管原理及特性.docVIP

《传感器与检测技术》—电子教材

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磁敏晶体管原理及特性

一、磁敏晶体管

1.磁敏晶体管的结构工作原理

磁敏晶体管的结构、符号与外形如图6-17所示。NPN型磁敏晶体管是在弱P型近本征半导体上，用合金法或扩散法形成3个结——即发射结、基极结、集电结所形成的半导体元件。其最大特点是基区较长，在长基区的侧面制成一个复合率很高的高复合区r。在r区的对面保持光滑的无复合的镜面I区，长基区分为输运基区和复合基区两部分。

图6-17磁敏晶体管结构与符号

2.工作原理

1)当不受磁场作用时，如图6-18a所示，由于磁敏晶体管的基区宽度大于载流子的有效扩散长度，因而注入的载流子除少部分输入到集电极c外，大部分通过e-I-b面形成基极电流。显而易见，基极电流大于集电极电流。所以，电流放大系数β=IC/IB1。

2)当受到正向磁场H作用时，如图6-18b所示，由于洛仑磁力作用，载流子向发射结一侧偏转，从而使集电极电流明显下降。

图6-18磁敏晶体管工作原理示意图

3)当受反向磁场H作用时，如图6-18c所示，载流子在洛仑兹力的作用下，向集电结一侧偏转，使集电极电流增大。

图6-193BCM的磁电特性

由此可以看出，磁敏晶体管工作原理与磁