电子教材 6.1-1 霍尔效应及霍尔元件.docVIP

《传感器与检测技术》—电子教材

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霍尔效应及霍尔元件

一、霍尔效应

在置于磁场中的导体或半导体内通入电流，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上会出现一个电动势差，这种现象称为尔效应，所产生的电动势称为霍尔电动势。利用露尔效应制成的元件称为霍尔传感器。

如图6-1所示，在长、宽、高分别为L、W、H的半导体薄片的相对两侧a、b通以控制电流、在薄片垂直方向加以磁场B。设图中的材料是N型半导体，导电的载流子是电子。在图示方向磁场的作用下，电子将受到一个由c侧指向d侧方向的力的作用，这个力就是洛色兹力。洛伦兹力用FL表示，大小为

（6-1）

式中，q是电子电荷量;v是载流子的运动速度;B是磁感应强度。

图6-1霍尔效应与霍尔元件

在洛仑兹力的作用下，电子向d侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，c侧则形成正电荷的积累。这样，c、d两端面因电荷积累而建立了一个电场EH，称为尔电场。该电场对电子的作用力与落仑兹力的方向相反，即阻止电荷的继续积累。当电场力(F=qEH)与洛色兹力大小相等时，达到动态平衡。这时有

qEH=qUB

所以霍尔电场的强度为

EH=vB