(8.2.7)--Chapter 7 FET Biasing模拟电子技术基础.docVIP

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2024-02-26 发布于陕西
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(8.2.7)--Chapter 7 FET Biasing模拟电子技术基础.doc

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Chapter7:FETBiasing

1)AJFETcanbebiasedinseveraldifferentways.Thecommonmethod(s)ofbiasingann-channelJFETis(are)________.

A)self-biasconfiguration

B)voltage-dividerbiasconfiguration

C)fixed-biasconfiguration

D)Alloftheabove

2)Inaself-biascircuitforann-channelJFETtransistorthese1f-biasline________.

A)isstraightupanddownparalleltotheIDaxis

B)isstraightleftandrightparalleltotheVGSaxis

C)isslantedandpassingthroughtheIDandtheVGSaxisonthepositiveside

D)isslantedandpassesthroughorigin

3)Inaself-biascircuitforann-channelJFETtransistorthese1f-biasline________.

A)isstraightupanddownparalleltotheIDaxis

B)isstraightleftandrightparalleltotheVGSaxis

C)isslantedandpassingthroughtheIDandtheVGSaxisonthepositiveside

D)isslantedandpassesthroughorigin

4)Inafixed-biascircuitforann-channelJFETtransistorthebiasline________.

A)isstraightupanddownparalleltotheIDaxis

B)isstraightleftandrightparalleltotheVGSaxis

C)isslantedandpassingthroughtheIDandtheVGSaxisonthepositiveside

D)isslantedandpassesthroughorigin

5)Calculatethequiescentdraincurrentandthegate-to-sourcevoltageforthisvoltage-dividerbiascircuit.

A)IDQ=2.4mAandVGSQ=1.8V

B)IDQ=2.4mAandVGSQQ=-1.8V

C)IDQ=1.2mAandVGSQQ=-3.6V

D)IDQ=1.2mAandVGSQQ=3.6V

6)Calculatethedrain-gatevoltageforthisvoltage-dividerbiascircuit.

A)VDG=8.42V

B)VDG=7.42V

C)VDG=6.42V

D)VDG=5.42V

7)Calculatethequiescentdraincurrentforthisself-biasdepletionmodeMOSFETtransistoramplifier.

A)IDQ=1.9mA

B)IDQ=1.7mA

C)IDQ=1.5mA

D)IDQ=1.3mA

8)IntheenhancementtypeofMOSFETthechannelisformedwhenthegate-to-sourcevoltage________.

A)exceedsthepinch-offvoltage

B)islessthanthepinch-offvoltage

C)islessthanthethreshol

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