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光刻工艺和刻蚀工艺

未来几代硅技术对光刻的要求

DRAM供货的首年199719992003200620092012

DRAM位/片256M1G4G16G64G256G

最小特征尺寸nm-孤立线条200140100705035

最小特征尺寸nm-密集线条2501801301007050

DRAM

接触孔2802001401108060

栅CD控制3。nm201410754

对准（均值+3。nm）856545352520

聚焦深度pm0.80.70.60.50.50.5

缺陷密度（每层/n?）1008060504030

未来几代硅技术对光刻的要求

DRAM供货的199719992003200620092012

首年

@缺陷大小@80@60@40@30@20@15

nm

DRAM芯片尺28040056079011201580

寸mm?

MPU芯片尺寸300360430520620750

mm2

视场nm22X2225X3225X3625X4025X4425X52

248nm248nm248nm193nm193nm

IduDUVorDUVDUV

193nmoror

??

DUV••

最少光刻版数2222/242424/2626/2828

CAD设计系统

A系统一般具有各种库，库中容纳了已知蚀可

行的一些以前的设计，可以从库中将基本功

能块或电路剪切下来，并粘贴到新的设计中

A使用软件工具来辅助布线

A另一些工具检查设计，以确保没有违反设计

规则的情形

A有电路级和系统级的模拟工具，可预言新设

计的性能

光刻胶

未感光的光刻胶溶于显影溶液，称为负性光刻胶

感光的光刻胶溶于显影溶液的称为正性光刻胶

光刻胶由三部分组成：1,感光剂；2,增感激；3,

溶剂。

负性光刻胶

依曝光时抗蚀剂结构变化的方式，又有两种典型类型。

一种是利用抗蚀剂分子本身的感光性官能团，如双健等进行

交链反应形成三维的网状结构

另一种是利用交链剂（又称架桥剂）进行交联形成三维的网状

结构。聚烽类一双叠氮系光致抗烛剂就是属于这一类

聚乙烯醇肉桂酸酯

利用抗蚀剂