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毕业论文简介

外延抑制自掺杂技术研究

应用物理2伏瑜指导老师：王青(教授)杜金生(工程师)

摘要

外延层杂质浓度是影响电学性能的重要参数，外延掺杂存在有意识掺杂和无意识掺杂（即自掺杂），

自掺杂影响外延生长。自掺杂降低了衬底/外延界面过渡区的陡峭程度，同时也增加了外延淀积过程中的本

底浓度。不但对外延层的电阻率控制带来相当大的困难，使外延层界面处杂质分布梯度变缓，外延层有效

厚度减薄，N结击穿电压的显著降低，晶体管的大电流特性变坏，特别不利于要求薄而界面处杂质分布陡

的外延层的微波器件的制造。而且一些有害杂质的存在，还会使噪声增加等。

本文对外延淀积过程中自掺杂的产生进行了分析，提出了在外延淀积过程中可以通过改变压力、温度、

及采用HCl腐蚀抛光技术、背封技术、烘烤赶气技术、二步外延技术等方法来解决外延自掺杂，从而改

H2

善器件的特性参数。

关键词：外延淀积自掺杂

Abstract

Theimpuritycncentratinisakeyparameterwhichhasaneffectntheelectricalperfrmancefthedevice

intheepitaxy,thedpingofepitaxyexistscnsciusandunconsciousdping(i.e,self-dping),thegrwthf

epitaxyisinfluencedbyself-dping.Sincetheself-dpingreducedthesteepdegreefsubstrateandtheepitaxy

interfaceftransitinregin,alsincreasedbackgrundcncentratinintheprcessftheextensin.Itmakesthe

,

cntrlftheepitaxysresistivitydifficult,theepitaxyftheinterfacebetweenlayerimpuritiesdistributin

gradientslw,theepitaxyfeffectivethicknessthin,thebreakdwnvltagefPNjunctinsignificantlyreduce,

andthecurrentcharacteristicsoftransistorchangebad,especiallytthedisadvantageofmanufacturingmicrowave

devices,whichwererequiredthinandthedistributinftheimpuritiesweresteepintheinterface.Andthe

existenceofsomeharmfulimpurities,stillcanmakeniseup,etc.

Thispaperanalisedthegeneratinfself-dpingduringtheepitaxialdepsitin,smetechniquessuchas

alteringpress,temperature，HClrt,back-seal,H2expel，andtw-stepepitaxy,areproposedtimprvethe

electricalcharateristicsofthedevicebyreducingself-dopingeffectduringepitaxialdeposit