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本发明属于压电晶体和结构健康监测领域，具体涉及一种硅酸铋晶体压电切型及其在高温导波压电换能器中的应用。所述硅酸铋晶体化学通式为Bi12SiO20，结晶于立方晶系，所述硅酸铋晶体压电切型为晶体的X‑切型、Y‑切型和Z‑切型绕着X轴旋转角度α或绕着Y轴旋转角度β或绕着Z轴旋转角度γ进行切割获得的晶体，所述X轴、Y轴和Z轴分别平行于、和晶体学轴。本发明针对硅酸铋晶体的压电振动模态，设计了兼具高压电响应和纯面切变振动模态晶体切型。本发明设计的压电晶体切型能够在宽频率范围内激
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117580437A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311549239.X
(22)申请日2023.11.17
(71)申请人山东大学
地址250100
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