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一种钽酸锂晶片及其黑化方法.pdfVIP

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  • 2024-02-21 发布于四川
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一种钽酸锂晶片及其黑化方法.pdf

    一种钽酸锂晶片及其黑化方法，通过在低于居里温度的还原性环境里进行黑化反应，压电晶片表面具有小于13wt%的氧浓度，该氧浓度下的压电晶片具有较低的电阻率，在波长350~450nm的光照射下透射率为0％，有效降低电阻率、提高后段图案的分辨率，使其制作的滤波器器件良率大幅提升，进而降低制造成本。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117568931A

    (43)申请公布日2024.02.20

    (21)申请号202311422740.X

    (22)申请日2019.08.26

    (62)分案原申请数据

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