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一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法.pdf

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    本发明公开了一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法，属于直拉硅单晶技术领域。该方法包括以下步骤：(1)在多晶硅熔化、稳定作业后，进行掺杂作业，首次掺杂量根据经验给定，然后进行找温、引晶、放肩、转肩、等径阶段，硅单晶一次成晶，等径长度达到30mm时，将硅单晶提断取出，待单晶冷却后，测试电阻率；(2)若测得的电阻率在高于预定范围，增加掺杂量，重复步骤(1)；若测得的电阻率在低于预定范围，减少掺杂量，重复步骤(1)；直至测得的电阻率在预定范围内，记录此时的掺杂时间和掺杂量；(3)按照上述掺杂时间和掺杂量拉

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117568929A

    (43)申请公布日2024.02.20

    (21)申请号202311485633.1C30B15/04(2006.01)

    (22)申请日2023.11.

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