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- 2024-02-21 发布于四川
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提供去疵层形成方法,能够形成不使抗折强度降低的去疵层。一种去疵层形成方法,在晶片的背面上形成去疵层,该晶片在正面上形成有器件,其中,该去疵层形成方法包含如下的步骤:涂布步骤,将金属盐的溶液涂布在晶片的背面上;以及干燥步骤,在实施了涂布步骤之后,使晶片干燥而在背面上形成去疵层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN108878255A
(43)申请公布日
2018.11.23
(21)申请号20181
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