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一种减少EMI噪声的功率器件及制备方法.pdf

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    本发明公开了一种减少EMI噪声的功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，包括第一导电类型衬底以及制备于衬底有源区内的若干元胞，元胞为沟槽型元胞；在所述有源区截面上，对任一沟槽型元胞，包括有源栅单元、第一副栅单元组以及第二副栅单元组，有源栅单元位于第一副栅单元组以及第二副栅单元组之间；第一副栅单元组至少包括一个副栅单元；第二副栅单元组至少包括一个副栅单元；副栅单元与衬底上方用于形成第一电极的第一电极金属电连接；在有源区截面上，相邻的元胞之间至少包括一个伪栅单元；伪栅单元、有源栅单元均与衬底上方用于

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117577674A

    (43)申请公布日2024.02.20

    (21)申请号202311845973.0

    (22)申请日2023.12.28

    (71)申请人江苏芯长征微电子

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