一种异构集成的2T0C-DRAM存储单元和制备方法.pdfVIP

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2024-02-21 发布于四川
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一种异构集成的2T0C-DRAM存储单元和制备方法.pdf

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本发明提供一种异构集成的2T0C‑DRAM存储单元和制备方法，属于动态随机存取存储器领域。包括上下堆叠的双栅读晶体管和写晶体管，两个沟道层均为U型，U型沟道层覆盖在栅极的三个面，大大增加竖直方向上的宽度，因此，单位面积的沟道宽度更高，将晶体管的沟道压缩到更小的面积内，进而提高存储密度；大大增加栅极与绝缘层的接触面面积，能更精确地调控沟道的状态，降低尺寸缩放导致晶体管不正常工作的风险；整个存储单元周围填充绝缘介质层，能保证阵列中各单元的独立性。此外，两个晶体管在水平方向上的投影不完全错开，能够显著

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117580362A

(43)申请公布日2024.02.20

(21)申请号202311556287.1

(22)申请日2023.11.20

(71)申请人深圳市存厚科技有限公司

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