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2024-02-21 发布于四川
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本申请涉及一种半导体器件，半导体器件包括第一表面、第二表面、在第一表面与第二表面之间层叠设置的第一半导体层和第二半导体层、由第一表面向第二表面延伸设置的多个第一沟槽和多个第二沟槽；第一半导体层为阱区，第二沟槽包括设于第一沟槽两侧的第一部分以及设于第一沟槽朝向第一半导体层的一侧、连接相邻第一部分的第二部分；第一沟槽内设置有第一多晶硅以及设于第一多晶硅外侧的第一氧化层，第二沟槽内设有第二多晶硅以及设于第二多晶硅外侧的第二氧化层，第一多晶硅背离第一半导体层一侧电连接有栅极，第二氧化层的厚度大于第一氧化

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117577668A

(43)申请公布日2024.02.20

(21)申请号202311520082.8

(22)申请日2023.11.15

(71)申请人瑞能半导体科技股份有限公司

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