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半导体激光器的腔面镀膜方法.pdfVIP

半导体激光器的腔面镀膜方法.pdf

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    本申请涉及一种半导体激光器的腔面镀膜方法，包括步骤S102，在半导体激光器解理条的电极表面区域选择性生长分子层，以形成具有疏水特性的阻隔层；步骤S104，对形成有阻隔层的半导体激光器解理条进行原子层沉积，以于半导体激光器解理条的除阻隔层覆盖区域以外的区域形成钝化薄膜。本申请的半导体激光器的腔面镀膜方法，实现了在半导体激光器解理条的腔面上沉积钝化薄膜并避免了半导体激光器的电极表面出现钝化薄膜，且不容易出现半导体激光器解理条受应力不均而产生机械损伤的问题。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117587378A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202311637258.8

    (22)申请日2023.12.01

    (71)申请人华中科技大学

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