一种垂直自对准环形双栅晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2024-02-24 发布于四川
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一种垂直自对准环形双栅晶体管及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种垂直自对准环形双栅晶体管的制备方法及垂直自对准环形双栅晶体管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中的薄膜晶体管制造成本高的问题。该垂直自对准环形双栅晶体管的制备方法包括如下步骤：依次形成第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层的叠层，其中，所述第一金属层和所述第三金属层分别为源极和漏极，所述第二金属层为第一栅极；刻蚀所述叠层形成孔洞，露出所述第一金属层；氧化刻蚀后的所述叠层中所述第二金属层在所述孔洞处的侧壁，形成环形栅介质；以及通过沉积技术在所述孔洞上依次形成沟道

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117594448A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202311789714.0

(22)申请日2023.12.25

(71)申请人中国科学院微电子研究所

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