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本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。在一个示例中，一种半导体器件包括半导体材料区域、在该半导体材料区域上方的第一电介质、在该第一电介质的第一部分上方的第一栅极导体和在该第一电介质的第二部分上方并且与该第一栅极导体横向间隔开的第二栅极导体。第一导体耦合到该第一栅极导体，并且第二导体耦合到该第二栅极导体并且与该第一导体横向分离第一间距。第二电介质在该第一间距内。该第一导体和该第二导体横向电容耦合，该第一栅极导体竖直地电容耦合到该半导体材料区域，并且该第二栅极导体竖直地电容耦合到该半导体材料区
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594641A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202310991087.2
(22)申请日2023.08.08
(30)优先权数据
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