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- 2024-02-24 发布于四川
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本申请涉及一种自适应时间步长的晶圆抛光仿真方法、装置及可读介质,所述方法包括:基于晶圆上表面的形貌分布和对应的材料参数,计算获得晶圆上表面各坐标点对应的材料移除率;基于各坐标点对应的材料移除率和预先设置的迭代参数,获取有效时间步长;基于材料移除率和有效时间步长执行本次时间迭代,以仿真各坐标点在有效时间步长内的高度变化;基于每次时间迭代后更新的形貌分布,按照上述步骤获取下一次时间迭代的材料移除率、有效时间步长并执行下一次时间迭代,直至晶圆上表面的平均高度达到预设阈值,提高了整个仿真过程中的迭代效率
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117592404A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202410071797.8
(22)申请日2024.01.18
(71)申请人杭州广立微电子股份有限公司
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