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WAT测试结构.pdfVIP

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  • 2024-02-24 发布于四川
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WAT测试结构.pdf

    本发明提供一种WAT测试结构。所述WAT测试结构至少部分形成在多个层叠的半导体材料层中，多个半导体材料层包括测试层以及位于测试层上的连接层；WAT测试结构包括第一测试单元；第一测试单元包括位于测试层中的第一电阻条以及位于连接层中的第二电阻条和第三电阻条；第二电阻条与第一电阻条的一端连接，第三电阻条与第一电阻条的另一端连接；第二电阻条和第三电阻条的长度与横截面积的比值均小于第一电阻条的长度与横截面积的比值；测试层中具有功能掺杂区，第一电阻条和测试层的功能掺杂区在同一工艺中形成；通过检测第一测试单元

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117594572A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202311681869.2

    (22)申请日2023.12.08

    (71)申请人芯联越州集成电路制造（绍兴）有限

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