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宽禁带半导体的本征载流子浓度

列举了有代表性的宽禁带半导体本征载流子浓度的理论公式，简要叙述了温

度与禁带宽度变化的关系，讨论了本征载流子浓度对电力电子器件参数特性的影

响，并通过与硅材料的对比说了宽禁带半导体的优异性能。

标签：宽禁带半导体；本征载流子；禁带宽度；电力电子器件

半导体材料的发展已历经三代，即分别以硅（Si）和砷化镓（GaAs）为代

表的第一、第二代半导体材料，和以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第

三代半导体材料，也称宽禁带半导体材料。由于其具有更宽的禁带宽度、更高的

击穿电场强度、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速度等独特的参数特性，因

而在电力电子器件、光电器件、射频微波器件、激光器和探测器等方面，显示出

广阔的发展前景，已成为目前世界各国半导体研究的重点。在这其中，电力电子

器件是在高电压、大电流和高温下工作的，本征载流子浓度等温度敏感参数对器

件的特性有着显著的影响，而宽禁带半导体材料比硅材料在这方面有着显的优

势，了解和把握这一点，对于研究宽禁带电力电子器件的参数特性显得十分必要。

1本征载流子浓度的理论公式

根据半导体物理学，半导体的本征载流子浓度ni由下式给出：

2温度对禁带宽度的影响

研究表：随着温度的上升，禁带宽度将随之减小。文献[2]、[4]给出了硅

和其它半导体禁带宽度与温度之间关系的表达式：

文献[2]给出了不同半导体材料禁带宽度参数，见表2。其中Eg（0）为00K

时的禁带宽度，α、β均为温度变化系数。

3Eg与ni对电力电子器件参数特性的影响

3.1Eg对击穿电压的影响

在描述半导体的雪崩击穿电压VB与材料禁带宽度Eg和杂质浓度NB的关

系时，文献[5]引用了S.M.Sze公式：

VB=60（Eg/1.1）1.5（NB/1016）-0.75（8）

对于p+n结，当NB=1014cm-3时，分别将Si的Eg=1.12eV、4H-SiC的

Eg=3.23eV代入式（8），计算出Si的雪崩击穿电压为1900V，而4H-SiC的雪崩

击穿电压可达9500V，是Si的5倍。

3.2ni对pn结反向漏电流的影响

晶闸管等功率半导体器件，其pn结的反向漏电流决定了器件的高温阻断特

性。在不考虑表面漏电流的情况下，反向漏电流由pn结的扩散电流和空间电荷

区的产生电流组成。对于p+n结，反向漏电流密度的表达式为：

由式（9）看出：反向漏电流与本征载流子浓度紧密相关，由于ni随温度而

显著变化，因而它决定了高温时功率器件的漏电流。采用φ75ZP型整流管的数

据，并取423K时表1中式（4）、式（5）的ni代入式（9），计算出Si器件的

漏电流为78.7mA，而4H-SiC器件的漏电流仅为1.03×10-11mA；当T=873K时，

计算出4H-SiC器件的漏电流也仅为0.6mA。

3.3ni对器件耐压极限和结温极限的影响

绝大部分功率半导体器件都是依靠pn结的反向阻断特性来承受耐压的。对

于衬底浓度为NB的pn结来说，ni=NB是非常重要的一个临界[6]，当niNB

时，pn结将失去反向阻断能力。ni=NB时的温度被规定为工作结温的极限[2]。

根据击穿电压VB与掺杂浓度NB的关系，当确定了击穿电压时，就限定了最高

的NB，也就同时限定了最高的ni及其所对应的极限工作结温。采用文献[1]

给出的p+n结击穿电压VB与掺杂浓度NB的关系式：

并采用公式（4）、（5）分别计算了Si和4H-SiC不同温度下NB=ni时的VB

，列于表3。由表3看出，Si材料的pn结当温度大于600K的本征温度时[5]，

已失去作为功率器件的阻断高电压的能力，而4H-SiC材料的pn结在873K时，

击穿电压的理论极限仍可达107V的数量级。

4结束语

宽禁带半导体有着更宽的禁带宽度，在相同温度下，有着远小于硅材料的本

征载流子浓度，这将使宽禁带电力电子器件具有远大于硅器件的击穿电压和更高

的工作结温，并具有远小于硅器件的漏电流。可以