一种晶圆表面二氧化钛薄膜及其制备方法.pdfVIP

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2024-02-24 发布于四川
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本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种晶圆表面二氧化钛薄膜及其制备方法。本发明提供的制备方法，采用原子层沉积方法在刻蚀后的晶圆表面交替沉积氧化铝外延层和氧化钛外延层后进行抛光，晶圆上的刻蚀孔被氧化铝外延层和氧化钛外延层所填充，含刻蚀孔的晶圆表面相对平整均匀，且非刻蚀孔区域无交替层叠的氧化铝外延层和氧化钛外延层，利于后续控制TiO2薄膜的厚度；然后再采用原子层沉积方法沉积氧化铝外延层和氧化钛外延层，形成的膜层表面平整度均匀稳定，后续无需再进行抛光处理；原子层沉积可通过每次原子层沉积吹扫的次数精

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117594425A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202311715736.2

(22)申请日2023.12.13

(71)申请人中国科学院电工研究所

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