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半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备.pdfVIP

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  • 2024-02-24 发布于四川
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半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备.pdf

    本申请涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备。一种制造半导体装置的方法，包括在具有第一面和第二面的半导体基板的第一面的一侧形成第一沟槽，通过经由第一沟槽在半导体基板中注入离子形成吸杂区域，以及在形成吸杂区域之后，在半导体基板的第一面的一侧形成第二沟槽。第二沟槽的底表面相对于第一面的深度小于第一沟槽的底表面相对于第一面的深度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110098210A

    (43)申请公布日

    2019.08.06

    (21)申请号20191

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