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本发明公开了一种基于光电导效应感知半导体阻变存储器存储态的无串扰读取技术，所述半导体阻变存储器采用具有光电导效应的半导体存储介质层。本发明所述的光电无串扰读取方法包括：对存储单元施加光刺激，当存储单元处于高阻态时，能够监测到明显的光电流；当存储单元处于低阻态时，无法监测到相应的光电流；根据是否监测到光电流来判断存储器的存储状态。根据本发明的阻变存储器件的读取方法无需额外选择单元，即可避免十字交叉结构阻变存储阵列采用电压读取过程中的串扰电流，实现了无串扰读取。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594093A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311481406.1
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人南京工业大学
地址210009
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