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本发明涉及一种低成本的超大深度聚合物绝缘层硅通孔中阻挡层制备工艺，属于微电子集成技术领域。本发明方法首次采用二次催化超声辅助化学镀镍(Ni)方法在以聚合物作为绝缘层的超大深度硅通孔中制备了连续的Ni阻挡层。本发明：依次使用PdSO4的NaOH溶液与DMAB溶液处理提前制备好聚合物绝缘层的TSV盲孔结构晶圆样品完成第一次催化流程，之后再使用PdCl2的HCl溶液继续处理样品完成第二次催化流程，最后将样品转移至NiSO4溶液中并在周期性开启的超声辅助下实现连续的Ni阻挡层沉积。通过使用本发明中的方法
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594526A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311483598.X
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人北京理工大学
地址100081
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