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一种MOS结构栅控制的HEMT功率器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-02-24 发布于四川
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一种MOS结构栅控制的HEMT功率器件及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种MOS结构栅控制的HEMT功率器件及其制备方法，该方法包括如下步骤：(1)制备单晶金刚石衬底；(2)在单金刚石层的表面沉积氮化物薄膜，形成金刚石/氮化物异质结；(3)在上一步沉积的氮化物表面制备半导体层，形成MOS栅控结构中的S层；(4)在上一步的半导体层上制备氧化物栅介质层；(5)在上一步的氧化物栅介质层上制备栅极金属，电极类型为T型栅，栅极金属材料为Al；(6)在第三步制备的半导体层上制备欧姆电极；(7)选择SiNx在氮化物上进行沉积，作为钝化层。本发明提高了大功率下器件的工作

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117594636A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202311863934.3

    (22)申请日2023.12.30

    (71)申请人钱塘科技创新中心

    地址3100

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