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本发明公开了一种用于芯片腔面镀膜的方法及半导体激光器，属于通信芯片半导体技术领域，包括将待端面镀膜的晶圆进行解条夹条以获得巴条，且依据预设的温度来对巴条的腔体进行加热；对待镀巴条的出光腔面进行等离子清洗处理；对进行等离子清洗处理后的待镀巴条的出光腔面镀双层高透过介质膜系，以对出光腔面进行镀膜，所述双层高透过介质膜系包括SiO膜层和第一SiO2膜层；对出光腔面进行镀膜后，依据预设的第一时间，对出光腔面进行高能离子反溅射来对SiO2膜层改性，且通过电子束在SiO2膜层镀第一有机水凝膜层，所述第一有机
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN114231910A
(43)申请公布日2022.03.25
(21)申请号202111559100.4C23C14/16(2006.01)
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