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本发明公开了一种具有温度传感功能的晶圆片及其制备方法，方法包括在多晶硅层的上表面涂覆光刻胶，形成光刻胶层；在多晶硅层的另一部分表面上进行离子注入以形成温度传感器P区；对温度传感器P区的部分区域再次进行光刻以及离子注入以形成温度传感器N区；通过接触孔在温度传感器P区以及温度传感器N区的绝缘介质层上淀积一层金属层，根据预设的光刻图案对金属层进行光刻以形成多晶硅层的阳极以及阴极，用以与待测温的元器件建立电连接并测量元器件的温度变化。本方法在不影响原有IGBT性能的情况下将温度传感器集成到IGBT芯
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594441A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311563114.2
(22)申请日2023.11.21
(71)申请人深圳市锐骏半导体
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