原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
常用术语翻译
activeregion有源区
2.activecomponent有源器件
3.Anneal退火
4.atmosphericpressureVD(APVD)常压化学气相淀积
5.BEOL（生产线）后端工序
6.BiMOS双极MOS
7.bondingwire焊线，引线
8.BPSG硼磷硅玻璃
9.channellength沟道长度
10.chemicalvapordeposition(VD)化学气相淀积
11.chemicalmechanicalplanarization(MP)化学机械平坦化
12.damascene大马士革工艺
13.deposition淀积
14.diffusion扩散
15.dopantconcentration掺杂浓度
16.dryoxidation干法氧化
17.epitaxiallayer外延层
18.etchrate刻蚀速率
19.fabrication制造
20.gateoxide栅氧化硅
21.Ireliability集成电路可靠性
word版本.
22.interlayerdielectric层间介质（ILD）
23.ionimplanter离子注入机
24.magnetronsputtering磁控溅射
25.metalorganicVD(MOVD)金属有机化学气相淀积
26.pcboard印刷电路板
27.plasmaenhancedVD(PEVD)等离子体增强VD
28.polish抛光
29.RFsputtering射频溅射
30.silicononinsulator绝缘体上硅（SOI）
第一章半导体产业介绍
1.什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数
量？(15分)
集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。
集成电路芯片/元件数产业周期
无集成11960年前
小规模(SSI)2到5020世纪60年代前期
中规模(MSI)50到500020世纪60年代到70年代前期
word版本.
大规模(LSI)5000到10万20世纪70年代前期到后期
超大规模(VLSI)10万到100万20世纪70年代后期到80年代后期
甚大规模(ULSI)大于100万20世纪90年代后期到现在
2.写出I制造的５个步骤？(15分)
Waferpreparation(硅片准备)
Waferfabrication(硅片制造)
Wafertest/sort(硅片测试和拣选)
Assemblyandpackaging(装配和封装)
Finaltest(终测)
3.写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？(15分)
发展方向：提高芯片性能——提升速度(关键尺寸降低,集成度提高研发采用新材料,)降低功，
耗。
提高芯片可靠性——严格控制污染。
降低成本——线宽降低、晶片直径增加。
摩尔定律指：I的集成度将每隔一年翻一番。
1975年被修改为：I的集成度将每隔一年半翻一番。
4.什么是特征尺寸D？(10分)
最小特征尺寸，称为关键尺寸（CriticalDimension，CD）CD常用于衡量工艺难易的标志。
5.什么是Moremoore定律和MorethanMoore
文档评论（0）