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一种磁性隧道结结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在基底上形成第二隧道结单元，包括第二钉扎层和位于第二钉扎层上的第二参考层，第二钉扎层和第二参考层之间反铁磁耦合；在第二隧道结单元表面形成第一导电层；在第一导电层表面形成第一隧道结单元，包括自由层、位于自由层表面的势垒层、位于势垒层表面的第一参考层以及位于第一参考层上的第一钉扎层，第一参考层与第二参考层的磁矩方向反平行，第一钉扎层和第一参考层之间铁磁耦合。通过引入第二参考层，增加了透射自旋极化电流的反射界面，使得透射自旋极化电流与反射自旋极化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117597012A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311828467.0
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人北京超弦存储器研
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