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具有导电环稳定化穿硅通孔的半导体装置互连件.pdfVIP

具有导电环稳定化穿硅通孔的半导体装置互连件.pdf

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    本公开涉及具有导电环稳定化穿硅通孔的半导体装置互连件。一种半导体装置组合件包含：穿硅通孔TSV，其具有从所述衬底的背侧突出的末端区，所述末端区被安置于所述衬底的所述背侧上方的导电环环绕；电介质层，其安置于所述衬底的所述背侧上方，所述电介质层的上表面与所述TSV的所述末端区的上表面齐平并且与所述导电环的上表面齐平；以及接合垫，其安置于所述TSV的所述末端区和所述导电环上方并且电耦合到所述TSV的所述末端区和所述导电环。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117594557A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202310989512.4

    (22)申请日2023.08.08

    (30)优先权数据

    17/884,4682022

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