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本发明公开了等离子晶圆处理装置,中央气体通道的反应腔内出气口的喷气方向正对放置于基座上的晶圆上表面中心,周边气体通道的反应腔内出气口的喷气方向正对放置于基座上的晶圆上表面边缘,增加质量流量计检测设定气体通道的反应气体流量,处理器根据质量流量计检测的流量值,调节相应的管路设置的质量流量控制器,灵活调整中央气体通道同周边气体通道的进气比例,实现对基座上的晶圆上表面不同区域的等离子体浓度比例的控制,从而灵活的调节反应腔内不同区域的反应气体分布,进而控制等离子体刻蚀处理速率的变化,使得晶圆圆心处的等离子
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594410A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311543433.7
(22)申请日2023.11.20
(71)申请人宸微设备科技(苏州)有限公司
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