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2024-02-24 发布于四川
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半导体器件具有半导体本体，其具有第一表面和与第一表面沿垂直方向相对的第二表面、栅极区，和沿水平方向与栅极区相邻布置的有源区。第一导电类型的第一发射极、第二导电类型的第一基极和第一导电类型的第二基极沿垂直方向依次布置在第二表面与第一表面之间。半导体器件还具有：布置在有源区内第二导电类型的前侧发射极，其从第一表面沿垂直方向延伸到第二基极中；第一导电类型的多个短路区域，其从第一表面穿过前侧发射极延伸直至第二基极，其中有源区具有沿水平方向与栅极区相邻的第一边缘区、与第一边缘区相邻的失效区和与失效区相邻的

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117594645A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202311036690.1H01L29/08(2006.01)

(22)申请日2023.08.

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