一种测验半导体器件抗辐射能力的改进方法.pdfVIP

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2024-02-28 发布于四川
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一种测验半导体器件抗辐射能力的改进方法.pdf

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本发明提供了一种测验半导体器件抗辐射能力的改进方法。相较于传统的测验方法，区别在于：(1)传统测验方法仅针对器件开启和器件关断两种工作状态，其中器件开启状态对应工作栅压和零漏极偏置，器件关断状态对应零栅极偏置和高漏极偏置；本发明新增开关过程中以及极端应力条件下可能出现的栅极和漏极偏置，其中栅极偏置大小可以根据衬底电流选取。(2)传统的测验方法仅在室温进行，本发明新增不同温度条件下的测试。(3)传统的测验方法栅极电压仅使用直流偏置，本发明新增脉冲偏置。相较于传统测验方法，本发明可更全面地模拟空间辐

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117607651A

(43)申请公布日2024.02.27

(21)申请号202311612659.8

(22)申请日2023.11.27

(71)申请人电子科技大学

地址611731

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