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本发明公开了一种霍尔电流传感器芯片的新型QFN封装结构及应用，涉及半导体芯片封装技术领域，该结构包括塑封体和引线框架，引线框架位于塑封体的内部；引线框架包括内置基岛和多个导通焊盘；还包括外置散热片，外置散热片的一侧外露，外置散热片的另一侧与内置基岛紧贴，且内置基岛与外置散热片之间形成用于抵接霍尔盘的连接部；内置基岛和外置散热片均开设有用于容纳霍尔盘的管芯的贯穿凹槽，将塑封体和引线框架设置为以上结构，在满足结构强度和工艺要求条件下，在最大程度上增强了散热能力并降低导通内阻，同时，通过设计增强了原边
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117615636A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311612740.6
(22)申请日2023.11.27
(71)申请人成都芯进电子有限
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