基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器.pdfVIP

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  • 2024-02-28 发布于四川
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基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器.pdf

本发明公开了一种基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器及制备方法,共射极放大器包括:自下而上依次包括衬底层、第一N型掺杂GaN层、Fe掺杂GaN层、AlGaN集电极势垒层、GaN基区、AlN发射极势垒层、第二N型掺杂GaN层;衬底层、第一N型掺杂GaN层、Fe掺杂GaN层和AlGaN集电极势垒层长度相等,GaN基区和AlN发射极势垒层长度相等;AlGaN集电极势垒层长度大于AlN发射极势垒层长度,AlN发射极势垒层长度大于第二N型掺杂GaN层长度;发射极、基极、集电极分别位于第一N型

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117613077A

(43)申请公布日2024.02.27

(21)申请号202311549599.X

(22)申请日2023.11.20

(71)申请人西安电子科技大学

地址7100

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